2009년 02월 08일
삼성전자, 세계 최초 4기가 DDR3 D램 개발
업계 최대용량인 4기가비트 DDR3 D램을 선보인 삼성전자는 이로써 업계에서 가장 많은 50나노 D램 제품군을 확보하게 됐다. 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램을 개발한 삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발했다.

‘4기가비트 DDR3 D램’은 서버용 16기가바이트RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 이용된다. 또 패키지 적층 기술(DDP-Double Die Package)을 적용했을 경우 32기가바이트 모듈을 개발할 수 있다.
‘4기가비트 DDR3 D램’은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1,600메가비트 (초당)의 데이터 처리 속도를 구현한다. 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 향상된 성능이다.

4기가비트 DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가, 전력 소비 측면에서 강점을 발휘한다. 일례로 16기가바이트 D램 모듈을 제작할 경우, 1기가비트 D램은 단품 144개를 탑재한다. 하지만 2기가비트 D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있다. 4기가비트 D램의 경우 36개로 제작할 수 있어 2기가비트 D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다.
데이터 센터(Data Center) 등 많은 서버를 설치하는 응용처의 경우, 저전력 메모리를 탑재하면 전기료를 줄이는 1차적인 효과뿐만 아니라 열 방출 장비나 파워공급 설비의 설치•유지•보수 비용 절감과 공간 절약 효과를 볼 수 있다. 전력 절감 효과는 서버에서 장착하는 메모리 용량이 커지면 커질수록 더욱 확대된다.
삼성전자는 “향후에도 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량•고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응할 것이다"라며 "또 프리미엄 메모리 시장을 지속적으로 창출하며 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다”라고 밝혔다.
한편 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장 규모는 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 '09년 29%, '11년 75%를 차지하게 됐다. DDR3 D램 중 2기가비트 이상의 비중도에서는 각각 '09년 3%, '11년 33%를 점유할 것으로 전망됐다.
다나와 정소라 기자 ssora7@danawa.com
# by | 2009/02/08 21:42 | 트랙백 | 덧글(0)










